3d过渡金属掺杂TiO2纳米晶膜电极的光电化学研究

3d过渡金属掺杂TiO2纳米晶膜电极的光电化学研究

应用原子力显微镜和x射线粉末法对3d过渡金属离子Cr(Ⅲ)，Fe(Ⅲ)，Mn(Ⅱ)，Co(Ⅱ)，Ni(Ⅱ)，Cu(Ⅱ)和Zn(Ⅱ)掺杂TiO2纳米晶粒(简写为M3d-TiO2)作了表征，并用光电化学方法研究了M3d-TiO2纳米结构多孔膜电极.实验结果表明，M3d-TiO2纳米粒子的颗粒较均匀，粒径约为15 nm，其晶型为锐钛矿和板钛矿的混晶.在所研究的M3d-TiO2中，只有Zn2+-TiO2电极的光电流大于未掺杂的TiO2纳米结构多孔膜电极.3d金属离子的掺杂引起各电极的光电流信号在一定波长范围内出现p-n转型现象.

作 者： 李卫华 乔学斌 高恩勤 杨迈之 郝彦忠 蔡生民 LI Wei-Hua QIAO Xue-bin GAO En-Qin YANG Mai-zhi HAO Yan-Zhong CAI Sheng-min   作者单位： 李卫华,LI Wei-Hua(安徽省宿州师范专科学校，宿州 234000)

乔学斌,高恩勤,杨迈之,郝彦忠,蔡生民,QIAO Xue-bin,GAO En-Qin,YANG Mai-zhi,HAO Yan-Zhong,CAI Sheng-min(北京大学化学与分子工程学院，北京 100871) 

刊 名： 高等学校化学学报  ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES  年，卷(期)： 2000 21(10)  分类号： O649.4  关键词： 3d过渡金属掺杂   TiO2纳米结构多孔膜电极   n-p转型   光电化学   Doping of 3d transition metal   TiO2 nanostructured porous film electrode   n-p Type inversion   Photoelectrochemistry  

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