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离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究

时间：2021-12-10 17:56:15 数理化学论文我要投稿

离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究

采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAs/AlGaAs非对称耦合量子阱单元,通过光致荧光谱测量,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应.荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过程中已基本完成,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心.

离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究

作者：陈贵宾陆卫缪中林李志锋蔡炜颖沈学础陈昌明朱德彰胡钧李明乾作者单位：陈贵宾,缪中林(中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083中国科学院上海原子核研究所核分析技术开放实验室,上海,201800)

陆卫,李志锋,蔡炜颖,沈学础(中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083)

陈昌明,朱德彰,胡钧,李明乾(中国科学院上海原子核研究所核分析技术开放实验室,上海,201800)

刊名：物理学报 ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 2002 51(3) 分类号： O4 关键词：量子阱离子注入光致荧光谱界面混合

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