二氧化钒薄膜研究的最近进展
VO2在68℃左右发生低温半导体态到高温金属态的相变,其电学和光学性质发生突变,在热、电开关和光存储介质方面有着广泛的应用.然而钒和氧作用生成的薄膜是钒的各种价态的氧化物如VO、V2O3、VO2、V2O5的混合体,要得到纯的VO2很难.人们做了很多工作来研究其电气化学的性质,并用了多种方法来镀制VO2薄膜.通过对VO2一些有代表性的研究成果,从薄膜制备、降低相变温度以及VO2应用前景等几个主要方面来介绍了VO2研究最近的一些进展.
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