磷钼钨杂多酸-L-半胱氨酸自组装膜电极的电化学性质

磷钼钨杂多酸-L-半胱氨酸自组装膜电极的电化学性质

磷钼钨杂多阴离子通过分子间静电作用吸附在L-半胱氨酸自组装单分子膜修饰金电极表面,制备了磷钼钨杂多酸-L-半胱氨酸自组装超分子膜电极,探讨了成膜条件.采用循环伏安(CV)、计时库仑(CC)、水平衰减全反射傅立叶变换红外光谱(ATR-FTIR)表征了膜的组成及电化学性质.实验发现,该膜电极在1.0mol@L-1H2SO4溶液中,于0.8～-0.2 V(vs SCE)间CV扫描出现3对稳定、可逆的氧化还原峰,计时库仑法计算了薄膜内的电子传递系数D为2.64×10-7cm2@s-1,初步探讨了膜电极的氧化还原性能.

作 者： 王升富 杜丹 邹其超   作者单位： 湖北大学化学与材料科学学院,  刊 名： 物理化学学报  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA  年，卷(期)： 2001 17(12)  分类号： O64  关键词： 静电吸附   自组装膜   化学修饰电极   磷钼钨杂多酸   L-半胱氨酸  

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