类硅铑离子的3s23p23P1,2-3s3p35S2的跃迁谱线
用束箔法研究了类硅铑离子的3s23p23P1,2-3s3p35S2的禁戒跃迁谱线.谱线识别从已知基态精细结构的分裂、基于分支比的强度比、相似的衰减特性、离子束能量下的谱线预期值方面着手.识别后,通过对已知谱线的波长的等电子系列曲线插值或外推来获得用于较刻的谱线的波长,然后较刻出3s23p23P1,2-3s3p35S2这两条谱线.
作 者： 黄敏 R.Hutton 邹亚明 K.Ando H.Oyama 作者单位： 黄敏(上海交通大学,物理系,上海,200030)R.Hutton(隆德大学,物理系,瑞典)
邹亚明(复旦大学,现代物理所,上海,200433)
K.Ando,H.Oyama(理化研究所,原子物理研究室,日本)
刊 名： 上海交通大学学报 ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SHANGHAI JIAOTONG UNIVERSITY 年，卷(期)： 2002 36(9) 分类号： O562.1 关键词： 禁戒跃迁 束箔光谱 CCD探测器 类硅铑离子