SiGe薄膜材料的椭圆偏振光谱研究
采用椭圆偏振光谱(SE)对一系列SiGe样品进行了研究.确定了SixGe1-x层的厚度和组分;对不均匀的SixGe1-x层,沿厚度方向进行了组分梯度的研究,其结果与二次离子质谱(SIMS)的测试有较好的一致性;成功地表征了器件级绝缘体上的硅锗(SGOI)样品的各层结构和SixGe1-x层的组分.
作 者: 李秋俊 冯世娟 田岗纪之 财满镇明 LI Qiu-jun FENG Shi-juan N TAOKA S ZAIMA 作者单位: 李秋俊,冯世娟,LI Qiu-jun,FENG Shi-juan(重庆邮电大学,光电工程学院,重庆,400065)田岗纪之,财满镇明,N TAOKA,S ZAIMA(日本名古屋大学,工学研究科结晶材料专攻,日本,名古屋,464-8603)
刊 名: 压电与声光 ISTIC PKU 英文刊名: PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS 年,卷(期): 2007 29(6) 分类号: O484 关键词: SiGe 椭圆偏振光谱 组分 厚度