SiGe薄膜材料的椭圆偏振光谱研究

SiGe薄膜材料的椭圆偏振光谱研究

采用椭圆偏振光谱(SE)对一系列SiGe样品进行了研究.确定了SixGe1-x层的厚度和组分;对不均匀的SixGe1-x层,沿厚度方向进行了组分梯度的研究,其结果与二次离子质谱(SIMS)的测试有较好的一致性;成功地表征了器件级绝缘体上的硅锗(SGOI)样品的各层结构和SixGe1-x层的组分.

作 者： 李秋俊 冯世娟 田岗纪之 财满镇明 LI Qiu-jun FENG Shi-juan N TAOKA S ZAIMA   作者单位： 李秋俊,冯世娟,LI Qiu-jun,FENG Shi-juan(重庆邮电大学,光电工程学院,重庆,400065)

田岗纪之,财满镇明,N TAOKA,S ZAIMA(日本名古屋大学,工学研究科结晶材料专攻,日本,名古屋,464-8603) 

刊 名： 压电与声光  ISTIC PKU 英文刊名： PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS  年，卷(期)： 2007 29(6)  分类号： O484  关键词： SiGe   椭圆偏振光谱   组分   厚度  

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