a-SiC:H薄膜的中子辐照研究

a-SiC:H薄膜的中子辐照研究

用射频(13.56MHz)反应溅射法制备了a-SiC:H 薄膜,并将制得的薄膜采用高能中子(14MeV)进行辐照.采用电阻率、Raman谱及红外光谱对薄膜的结构与特性变化规律进行了表征.分析结果表明:所得a-SiC:H薄膜中存在多余的非晶态碳.随着中子辐照剂量的增加,a-SiC:H薄膜中SP2C=C键增加,即其中的碳存在类石墨化的趋势.中子辐照后薄膜的电阻率的略微减小现象,可用缺陷对载流子的捕获模型进行解释.

作 者： 刘贵昂 谢二庆 王天民   作者单位： 刘贵昂(湛江海洋大学,理学院,广东,湛江,524088)

谢二庆(兰州大学,物理系,甘肃,兰州,730000)

王天民(北京航空航天大学,理学院,北京,100083) 

刊 名： 强激光与粒子束  ISTIC EI PKU 英文刊名： HIGH POWER LASER AND PARTICLE BEAMS  年，卷(期)： 2003 15(3)  分类号： O774  关键词： a-SiC:H薄膜   中子辐照   非晶碳   石墨化  

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