用IR及XPS研究Photo-CVD SiO2薄膜特性

用IR及XPS研究Photo-CVD SiO2薄膜特性

在低温下采用以低压Xe气激发真空紫外光作光源,以SiH4和O2作为反应气体的直接光CVD技术在硅衬底上成功地淀积出SiO2薄膜.用红外光谱分析发现,薄膜中未出现与Si-H、Si-OH相应的红外吸收峰,Si-O伸缩振动所对应的吸收峰峰位在1 054～1 069 cm-1之间;通过高频C-V特性曲线计算出SiO2-Si系统中固定氧化物电荷密度在2×1010～3×10 11cm-2范围内;XPS分析表明,SiO2薄膜中Si的2p能级结合能为103.6 eV,界面处亚氧化硅的总含量为每平方厘米3.72×1015个原子.

作 者： 刘玉荣 李观启 黄美浅   作者单位： 华南理工大学应用物理系,广东,广州,510640  刊 名： 华南理工大学学报(自然科学版)  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY(NATURAL SCIENCE EDITION)  年，卷(期)： 2003 31(7)  分类号： O484.4  关键词： 光CVD   SiO2薄膜   红外光谱   XPS   C-V特性