InSb的锂嵌入形成能第一原理计算
InSb材料在近来的锂离子电池负极材料研究中受到了重视.使用基于局域密度泛函理论的第一原理赝势法,计算了锂离子电池非碳类负极材料InSb各种锂嵌入情况时的形成能以及相应的电子结构.讨论了锂嵌入时的体积变化、能带结构、电子态密度以及电荷分布等性质.计算发现,闪锌矿结构的InSb材料,锂嵌入到主体材料的间隙位置时的形成能平均每个锂原子都在2.2eV左右.
作 者： 刘慧英 侯柱锋 朱梓忠 黄美纯 杨勇 作者单位： 刘慧英(集美大学计算科学与应用物理系,厦门,361021;厦门大学物理系,厦门,361005)侯柱锋,朱梓忠,黄美纯(厦门大学物理系,厦门,361005)
杨勇(厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室,厦门,361005)
刊 名： 物理学报 ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 2003 52(7) 分类号： O4 关键词： InSb 锂嵌入形成能 电子结构 第一原理计算