铟锡氧化程度对ITO薄膜光电特性的影响
采用直流磁控溅射法在普通载玻片上制备了氧化铟锡透明导电薄膜(ITO).制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃和300℃,保温时间为1 h.对薄膜中铟锡原子的氧化程度及其光电特性进行了测试与分析.结果表明:退火温度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,从而提高了薄膜在可见光范围内的透射率;退火温度为200℃时,In原子氧化程度较高,薄膜中氧空位数量最多,电阻率最低为6.2×10-3Ω·cm.
作 者： 江锡顺 曹春斌 宋学萍 孙兆奇 JIANG Xi-shun CAO Chun-bin SONG Xue-ping SUN Zhao-qi 作者单位： 江锡顺,JIANG Xi-shun(滁州学院,电子信息工程系,安徽,滁州,239012)曹春斌,CAO Chun-bin(安徽农业大学,理学院,安徽,合肥,230036)
宋学萍,孙兆奇,SONG Xue-ping,SUN Zhao-qi(安徽大学,物理与材料科学学院,安徽,合肥,230039)
刊 名： 液晶与显示 ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS 年，卷(期)： 2007 22(4) 分类号： O484.4 关键词： ITO薄膜 磁控溅射 氧化程度 光电特性