离子源辅助电子枪蒸发制备Ge1-xCx薄膜
应用电子枪蒸发纯Ge,考夫曼离子源辅助的方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜.制备过程中,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体.通过改变CH4/(CH4+Ar)的气体流量比(G),制备了G从40%到85%的Ge1-xCx薄膜.应用X射线衍射仪(XRD)测量了Ge1-xCx薄膜的晶体结构,使用傅里叶红外光谱仪(FTIR)测量了2～22 μm的光学透过率,X射线光电子能谱测试(XPS)计算得到C的含量随G的变化关系,用纳米压痕硬度测试计测量了Ge1-xCx薄膜的硬度,原子力显微镜(AFM)测量了G为60%,85%时Ge1-xCx薄膜的表面粗糙度.测试结果表明:制备的Ge1-xCx薄膜在不同的G值下均为无定形结构.折射率随着G值的增加而减小,在3.14～3.89之间可变,并具有良好的均匀性以及极高的硬度.
作 者： 王彤彤 高劲松 王笑夷 宋琦 郑宣明 徐颖 陈红 申振峰 WANG Tong-tong GAO Jin-song WANG Xiao-yi SONG Qi ZHENG Xuan-ming XU Ying CHEN Hong SHEN Zhen-feng 作者单位： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,光学技术研究中心,长春,130033 刊 名： 光子学报 ISTIC PKU 英文刊名： ACTA PHOTONICA SINICA 年，卷(期)： 2007 36(4) 分类号： O484 TN304 关键词： Ge1-xCx薄膜 电子枪蒸发 离子辅助沉积(IAD) 考夫曼离子源