InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究
分析研究了GaAs/InAs自组装量子点的电输运性质,通过对实验数据的分析,讨论了Schottky势垒对InAs量子点器件的影响和I-V曲线中迟滞回路以及电导曲线中台阶结构产生的原因.迟滞回路和台阶的出现与电场中量子点的充放电过程相关:迟滞回路反映了量子点充电后对载流子的库仑作用,而电导台阶则反映了量子点因共振隧穿的放电现象.
作 者: 赵继刚 邵彬 王太宏 作者单位: 赵继刚,邵彬(中国科学院物理研究所,北京,100080;北京理工大学,北京,100081)王太宏(中国科学院物理研究所,北京,100080)
刊 名: 物理学报 ISTIC SCI PKU 英文刊名: ACTA PHYSICA SINICA 年,卷(期): 2002 51(6) 分类号: O4 关键词: 迟滞现象 自组装量子点 共振隧穿