InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究

InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究

分析研究了GaAs/InAs自组装量子点的电输运性质,通过对实验数据的分析,讨论了Schottky势垒对InAs量子点器件的影响和I-V曲线中迟滞回路以及电导曲线中台阶结构产生的原因.迟滞回路和台阶的出现与电场中量子点的充放电过程相关:迟滞回路反映了量子点充电后对载流子的库仑作用,而电导台阶则反映了量子点因共振隧穿的放电现象.

作 者： 赵继刚 邵彬 王太宏   作者单位： 赵继刚,邵彬(中国科学院物理研究所,北京,100080;北京理工大学,北京,100081)

王太宏(中国科学院物理研究所,北京,100080) 

刊 名： 物理学报  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2002 51(6)  分类号： O4  关键词： 迟滞现象   自组装量子点   共振隧穿  

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