氧分压对ZnO薄膜结构与光学性能的影响
采用直流磁控溅射法在不同氧分压下制备了ZnO薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、荧光分光光度计、紫外-可见分光光度计对样品进行检测.实验表明,氧分压对ZnO薄膜的结构与光学性能影响很大.在样品的光致发光谱中,均只发现了520 nm附近的绿色发光峰,该峰随着氧分压的增大而增强.不同氧分压制备的ZnO薄膜中,氧分压为0.25Pa的样品结晶性能最好,透过率最高.
作 者： 杨兵初 刘晓艳 高飞 YANG Bing-chu LIU Xiao-yan GAO Fei 作者单位： 中南大学,物理科学与技术学院,长沙,410083 刊 名： 半导体技术 ISTIC PKU 英文刊名： SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY 年，卷(期)： 2007 32(6) 分类号： O484.4 O484.5 关键词： 直流磁控溅射 ZnO薄膜 氧分压