用射频磁控溅射法在二氧化硅衬底上制备磁光Ce∶YIG薄膜
使用射频磁控溅射法在非晶态的二氧化硅衬底上制备Ce1YIG磁光薄膜.生成的Ce1YIG薄膜为非晶态形式,经过后续的热处理过程,转变为晶化薄膜,在用波长为630 nm的激光测量时,薄膜的饱和法拉弟旋转系数θF为800°/mm.晶化薄膜具有很强的平行于膜面的磁化强度,用VSM测得晶化薄膜的居里温度为220 ℃.实验结果表明:所制备的薄膜适宜于制备波导型磁光隔离器.同时,这一方法为进一步研究非互易平面光波回路打下了基础.
作 者： 王巍 兰中文 王豪才 高能武 秦跃利 孔祥栋 作者单位： 王巍,兰中文,王豪才(电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054)高能武,秦跃利,孔祥栋(电子部29所,成都,610036)
刊 名： 真空科学与技术学报 ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY 年，卷(期)： 2003 23(2) 分类号： O484.4+3 关键词： Ce∶YIG石榴石 光隔离器 磁光 磁性能 二氧化硅衬底