纳米晶SnO2薄膜的结晶特性
采用磁控溅射技术,使用混合气体Ar和O2,在衬底温度为150～400℃的耐热玻璃基片上制备了纳米晶SnO2∶Sb透明导电薄膜,通过测定X射线衍射谱,表明薄膜择优取向为[110]和[211]方向.测量了SnO2∶Sb薄膜的结晶特性随衬底温度变化以及纳米晶SnO2薄膜FE-SEM表面及断面形貌.
作 者： 王占和 吴海霞 蒋煜婧 邢懋腾 詹杰 作者单位： 北京理工大学电子工程系,北京,100081 刊 名： 半导体学报 ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 年，卷(期)： 2003 24(z1) 分类号： O484 TN305.92 关键词： 磁控溅射 纳米晶 SnO2薄膜 结晶特性 FE-SEM