CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)晶粒的光学性质和电子结构?
以CdSe纳米晶体为核,用胶体化学的方法,通过化学替代反应,获得了不同阱层或不同垒层的CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱( QDQW)晶体.紫外-可见光吸收谱研究表明,通过调节QDQW中间HgSe阱层的厚度从0.9*!nm至0,可以调节QDQW颗粒的带隙从1.8变化至2.1*!eV,实现QDQW纳米晶体的剪裁.光致荧光(PL)谱研究显示,QDQW形成后,CdSe/HgSe纳米颗粒表面态得到钝化,显现出发光强度加强的带边荧光峰.利用有效质量近似模型,对QDQW晶粒内部电子的1s-1s态进行了估算,估算结果总体趋势与实验数据相符.
作 者： 徐岭 马懿 李明海 黄信凡 陈坤基 作者单位： 南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093 刊 名： 物理学报 ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 2002 51(4) 分类号： O4 关键词： 量子点量子阱晶体 能带剪裁 加强的带边荧光峰