ZnTe:Cu多晶薄膜结构和电性质
用共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜,利用XRD、AFM和XPS等测试技术对样品进行了表征,研究了掺Cu浓度和退火温度对薄膜物相和晶粒度的影响,分析了薄膜表面的元素状态.根据铜离子的变价行为对异常的电阻率温度关系作了解释.并确定了最佳掺铜浓度和退火温度.
作 者： 吴晓丽 郑家贵 郝瑞英 冯良桓 蔡伟 蔡亚平 张静全 黎兵 李卫 武莉莉 WU Xiao-li ZHENG Jia-gui HAO Rui-ying FENG Liang-huan CAI Wei CAI Ya-ping ZHANG Jing-quan LI Bing LI Wei WU Li-li 作者单位： 四川大学材料科学与工程学院,成都,610064 刊 名： 功能材料与器件学报 ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES 年，卷(期)： 2007 13(6) 分类号： O484 关键词： ZnTe:Cu多晶薄膜 共蒸发系统 结构 电阻率～温度 ZnTe:Cu polycrystalline thin films co-evaporation system structure p～T