GaAs微条粒子探测器的辐照特性
设计了一种能经受高能粒子辐照的GaAs微条粒子探测器.该探测器结构采用金属-半导体-金属结构,其主要几何尺寸是:微条长度为17mm,宽度分别为20、50、100、200、300μm.该探测器在经受电子、中子、γ射线、X射线等高能粒子辐照后,表面金属光亮无损,反向击穿电压最高可达180V,在反偏电压80V时,反向暗电流密度低达31nA/mm2.探测器的最小条宽为20μm.
作 者： 邵传芬 朱美华 史常忻 作者单位： 邵传芬,史常忻(上海交通大学微电子技术研究所,上海,200030)朱美华(上海交通大学物理系,上海,200030)
刊 名： 半导体学报 ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 年，卷(期)： 2003 24(2) 分类号： O572.11 关键词： 微条 砷化镓 探测器