具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究

具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究

采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点/InAlAs浸润层结构.通过选取合适的In组分,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当,从而使浸润层的量子阱特征消失.通过低温光致发光(PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点/InAlAs浸润层在样品中的确切位置.变温PL谱的研究显示,具有这种结构的量子点发光峰的半高全宽随温度上升出现展宽,这明显区别于普通InGaAs量子点半高全宽变窄的行为.这是因为采用了InAlAs浸润层后,不仅增强了对InGaAs量子点的限制作用,同时切断了载流子的转移通道,使得量子点更加孤立后表现出来的性质.

作 者： 朱天伟 张元常 徐波 刘峰奇 王占国   作者单位： 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京,100083  刊 名： 物理学报  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2003 52(8)  分类号： O4  关键词： InGaAs量子点   InAlAs浸润层   PL谱  

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